[发明专利]一种双色LED芯片的制备方法及结构有效
| 申请号： | 201711382408.X | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108039400B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种双色LED芯片的制备方法及结构，所述制备方法包括：(a)在衬底上生长蓝光材料；(b)在所述蓝光材料上上制备多个绿光灯芯槽，所述蓝光材料形成多个蓝光结构；(c)在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料，所述绿光材料形成多个绿光结构；(d)制作电极。本发明通过在同一个衬底上同时制备出蓝光材料和绿光材料的单芯片工艺，这样在生产白光LED时降低了荧光粉的用量，从而改善了因大量离散分布的荧光粉颗粒致使光线变弱的问题，提高了集成度，降低了LED成本，同时也使色温调节更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种双色LED芯片的制备方法，其特征在于：包括：(a)在衬底上生长蓝光材料；(b)在所述蓝光材料上制备多个绿光灯芯槽，所述蓝光材料形成多个蓝光结构；(c)在所述绿光灯芯槽内生长绿光材料，所述绿光材料形成多个绿光结构；(d)制作电极。
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