[发明专利]刻蚀设备有效
申请号: | 201711383263.5 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108172531B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 董磊磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种刻蚀设备,所述刻蚀设备包括密封罩、承载板、挡板、边框以及多个第一排气结构,所述承载板、挡板及边框位于所述密封罩内,所述边框和所述挡板设于所述承载板上,所述挡板位于所述边框的中间并与所述边框围合成两个收容部,所述两个收容部用于放置触摸面板,所述多个第一排气结构环绕所述边框设置,所述多个第一排气结构用于将密封罩中的空气排出。本发明提出的刻蚀设备包括多个第一排气结构,在干法刻蚀时,可以通过多个第一排气结构促进密封罩内的工艺气体的流动,使得工艺气体均匀分布在密封罩内,从而优化刻蚀环境、提高刻蚀均一性以及提升产品良率。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀设备,其特征在于,包括密封罩、承载板、挡板、边框以及多个第一排气结构,所述承载板、挡板及边框位于所述密封罩内,所述边框和所述挡板设于所述承载板上,所述挡板位于所述边框的中间并与所述边框围合成两个收容部,所述两个收容部用于放置触摸面板,所述多个第一排气结构环绕所述边框设置,所述多个第一排气结构用于将密封罩中的空气排出。2.根据权利要求1所述的刻蚀设备,其特征在于,还包括第一排气管道和第二排气结构,所述第一排气管道贯穿所述挡板及所述承载板并连通所述密封罩与所述第二排气结构。3.根据权利要求2所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第二排气结构包括第一控制阀和第一抽气泵,所述第一控制阀设于所述第一排气管道与所述第一抽气泵之间。4.根据权利要求3所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一排气管道包括水平部及与所述水平部连通的垂直部,所述垂直部贯穿所述挡板和所述承载板并连通所述密封罩与所述水平部,所述水平部连接于所述垂直部与所述第一控制阀之间。5.根据权利要求2~4任一所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一排气管道的材质为耐腐蚀、绝缘材质。6.根据权利要求3或4所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一排气结构对称的设置于所述承载板的相对的两侧。7.根据权利要求6所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一排气结构包括第二排气管道、第二控制阀以及第二抽气泵,所述第二排气管道与所述密封罩连通,所述第二控制阀设于所述第二排气管道与所述第二抽气泵之间。8.根据权利要求7所述的刻蚀设备,其特征在于,还包括第三抽气泵,所述第三抽气泵分别与所述第一抽气泵、第二抽气泵连接。9.根据权利要求8所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第一抽气泵、第二抽气泵均为分子泵。10.根据权利要求9所述的刻蚀设备,其特征在于,所述第三抽气泵为真空泵。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711383263.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动芯片粘片机
- 下一篇:一种倒装芯片键合装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造