[发明专利]5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法有效
申请号: | 201711385193.7 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108103573B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 涂小牛;郑燕青;王升;熊开南;孔海宽;施尔畏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;熊子君 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法,包括:籽晶在高于晶体生长原料熔化温度5℃~20℃下接触到晶体生长原料熔体;以2~4mm/h的提拉速度、18~24rpm的旋转速度提拉籽晶,并升温,使提拉高度为3~6mm;以0.5~1.5mm/h的提拉速度、14~24rpm的旋转速度提拉晶体,并降温;以0.5~1.5mm/h的提拉速度、14~24rpm的旋转速度提拉晶体;以2~5mm/h的提拉速度、20~24rpm的旋转速度提拉晶体,并升温;以40~80mm/min的提拉速度、5~10rpm的旋转速度提拉晶体使其脱离熔体,然后降至室温。 | ||
搜索关键词: | 英寸 硼酸 氧钙钇 非线性 光学 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提拉法制备5英寸硼酸氧钙钇晶体的生长方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)接种:籽晶在高于晶体生长原料熔化温度5℃~20℃下接触到晶体生长原料熔体;(b)缩颈:以2~4mm/h的提拉速度、18~24rpm的旋转速度提拉籽晶,并升温,使生长出的晶体直径控制在Φ6~10mm,提拉高度为3~6mm;(c)扩肩:以0.5~1.5mm/h的提拉速度、14~24rpm的旋转速度提拉晶体,并降温,使晶体的直径从Φ6~10mm经过提拉40~60mm扩大到约Φ125~130mm;(d)等径:以0.5~1.5mm/h的提拉速度、14~24rpm的旋转速度提拉晶体,使晶体直径控制在Φ125~130mm,并提拉125~135mm;(e)收尾:以2~5mm/h的提拉速度、20~24rpm的旋转速度提拉晶体,并升温,使晶体直径从Φ125mm~130mm经过提拉20~40mm缩小到Φ20mm~30mm;(f)原位退火:以40~80mm/min的提拉速度、5~10rpm的旋转速度提拉晶体使其脱离熔体,然后降至室温。
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