[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201711385296.3 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108321139A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 榊原明德 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/492;H01L21/603
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 鲁山;孙志湧
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件的制造方法包括将包含金属粒子的导电膏涂覆到电极板中的指定区域,电极板在其表面中包括凹部,指定区域与凹部相邻。半导体器件的制造方法包括将半导体芯片放置在导电膏上,使得半导体芯片的外周边缘位于凹部上方。所述半导体器件的制造方法包括通过在朝向电极板的方向上向半导体芯片施加压力的同时加热导电膏,使该导电膏硬化。
搜索关键词: 半导体器件 半导体芯片 导电膏 电极板 凹部 制造 导电膏硬化 金属粒子 施加压力 外周边缘 涂覆 加热
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,所述制造方法的特征在于,包括:(a)将包含金属粒子的导电膏涂覆到电极板中的指定区域,所述电极板在所述电极板的表面中包括凹部,所述指定区域与所述凹部相邻;(b)将半导体芯片放置在所述导电膏上,使得所述半导体芯片的外周边缘位于所述凹部上方;以及(c)通过在朝向所述电极板的方向上向所述半导体芯片施加压力的同时加热所述导电膏,使所述导电膏硬化。
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