[发明专利]一种适用于MSAP工艺的闪蚀药水

摘要

本发明公开了一种适用于MSAP工艺的闪蚀药水，药水中护岸剂与铜离子形成络合物附着在铜表面，这样线路间的底铜在水平喷淋设备中正对液体喷流，络合物保护膜很容易破裂从而使得底铜被蚀刻溶解，而线路侧壁的络合物保护膜由于受流体扰动较小，可以保护侧壁的铜不被侵蚀，因此在闪蚀前不需要涂布蚀刻抑制层，所述护岸剂可控制线路侧壁蚀刻速率为顶部蚀刻速率的二分之一。所述润湿剂通过增加铜表面亲水性，使蚀刻液可以充分和铜反应达到蚀刻加速的效果，稳定剂可降低双氧水分解且耐铜性好。所述闪蚀药水可处理45μm/45μm以下线宽线距的精细线路，且蚀刻线路过程中可靠性高，无需真空蚀刻设备，成本低、流程简单，易于管控。

主权项

1.一种适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述闪蚀药水包括用于保护线路侧壁的护岸剂、用于加速蚀刻的润湿剂和用于维持药水体系稳定性的稳定剂，所述护岸剂、润湿剂和稳定剂均为有机物，其中，所述护岸剂的浓度为10‑1000ppm，所述润湿剂的浓度为100‑5000ppm，所述稳定剂的浓度为1‑100ppm。

2.根据权利要求1所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述护岸剂的结构式为

3.根据权利要求2所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述R₁、R₂均为氢、烷基、苯基、取代苯基或含氮芳香基团中的一种或两种。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述润湿剂为碳原子数2‑10的饱和脂肪族二醇、三醇或饱和脂肪族二醇、三醇的一缩、二缩、三缩合物中的一种或两种。

5.根据权利要求4所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述稳定剂为甘氨酸、丝氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、酪氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺中的一种或两种。

6.根据权利要求5所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，还包括无机组分，所述无机组分包括铜盐、H₂SO₄和H₂O₂，其中，所述铜盐中的Cu²⁺浓度为5‑40g/L，所述H₂SO₄的浓度为20‑50g/L，所述H₂O₂的浓度为8‑16g/L。

7.根据权利要求6所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述护岸剂浓度为20‑500ppm，所述润湿剂浓度为200‑1000ppm，所述稳定剂浓度为5‑50ppm。

8.根据权利要求7所述的适用于MSAP工艺的闪蚀药水，其特征在于，所述护岸剂浓度为50‑100ppm，所述润湿剂浓度为500‑600ppm，所述稳定剂浓度为10‑30ppm。