[发明专利]一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法

摘要

本发明提供一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法，属于半导体领域，包括：激活操作，于刻蚀腔室内添加一P+类型的第一控片；第一次调节操作，于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第二控片；第一次跑货操作，于刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的复合结构，利用HHC依次进行刻蚀减薄处理；第二次调节操作，于刻蚀腔室内添加一P‑类型的第三控片；第二次跑货操作，于刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的复合结构，利用HHC依次进行刻蚀减薄处理，随后依次取出。本发明的有益效果：通过添加第二控片，优化HHC刻蚀速率，工艺精度更易控制，保证刻蚀厚度达到目标值的同时，降低硅空洞缺陷率，从而提高提高成品良率。

主权项

1.一种降低硅空洞缺陷率的硅层减薄方法，适用于在刻蚀装置中对复合结构中的硅层进行减薄，所述刻蚀装置具有一刻蚀腔室，所述刻蚀腔室内置有HHC，所述复合结构包括所述复合元件及设置在所述复合元件上的所述硅层；其特征在于，所述硅层减薄方法包括：步骤S1、进行激活操作，于所述刻蚀腔室内添加一P+类型的第一控片，随后取出所述第一控片；步骤S2、进行第一次调节操作，于所述刻蚀腔室内添加一P-类型的第二控片，所述第二控片用于中和部分所述第一控片带来的空穴，随后取出所述第二控片；步骤S3、进行第一次跑货操作，于所述刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的所述复合结构，利用HHC依次对多个未经减薄处理的所述复合结构中的所述硅层进行刻蚀减薄处理，随后依次取出经过刻蚀减薄后的多个所述复合结构；步骤S4、进行第二次调节操作，于所述刻蚀腔室内添加一P-类型的第三控片，所述第三控片用于中和部分所述HHC在进行刻蚀减薄处理时带来的空穴，随后取出所述第三控片；步骤S5、进行第二次跑货操作，于所述刻蚀腔室内依次添加多个未经减薄处理的所述复合结构，利用HHC依次对多个未经减薄处理的所述复合结构中的所述硅层进行所述刻蚀减薄处理，随后依次取出经过刻蚀减薄后的多个所述复合结构，随后退出。