[发明专利]具有侧墙型选择栅的非易失存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有侧墙型选择栅的非易失存储器，侧墙型选择管的选择栅为侧墙结构且是通过对位于存储区的第一多晶硅或无定形硅层进行全面的多晶硅或无定形硅刻蚀自对准形成于存储管的栅极的侧面；逻辑器件的逻辑栅通过对第二多晶硅或无定形硅层进行光刻刻蚀形成；第一多晶硅或无定形硅层的厚度大于第二多晶硅或无定形硅层的厚度且分别独立调节厚度。本发明还公开了一种具有侧墙型选择栅的非易失存储器的制造方法。本发明能在满足外围电路区较薄多晶硅栅极厚度的情况下增大存储区的侧墙型选择栅的沟道长度，即能满足先进逻辑器件对多晶硅栅极厚度的要求又能很好地控制存储区侧墙型栅极的漏电情况。

主权项

一种具有侧墙型选择栅的非易失存储器，其特征在于：包括位于存储区的存储器件和位于外围电路区的逻辑器件；所述存储器件包括存储管和位于所述存储管侧面的侧墙型选择管；所述存储管的第一栅极结构包括依次叠加于半导体衬底表面的ONO层和控制栅；所述侧墙型选择管的第二栅极结构包括第一栅氧化层和选择栅，所述第一栅氧化层位于所述第一栅极结构外的所述半导体衬底表面，所述选择栅为侧墙结构且是通过对位于所述存储区的第一多晶硅或无定形硅层进行全面的多晶硅或无定形硅刻蚀自对准形成于所述第一栅极结构的侧面，所述选择栅和对应的所述控制栅之间通过第二氧化层隔离；所述逻辑器件的第三栅极结构包括依次叠加的所述第一栅氧化层和逻辑栅；所述逻辑栅通过对第二多晶硅或无定形硅层进行光刻定义后再进行多晶硅或无定形硅刻蚀形成；所述第一多晶硅或无定形硅层的厚度大于所述第二多晶硅或无定形硅层的厚度，通过所述第二多晶硅或无定形硅层的厚度独立调节所述逻辑栅的厚度，通过所述第一多晶硅或无定形硅层的厚度的独立调节调节所述侧墙型选择管的沟道长度，使得在减少所述逻辑栅的厚度时能增加所述侧墙型选择管的沟道长度，通过减少所述逻辑栅的厚度增加所述逻辑器件的性能，通过增加所述侧墙型选择管的沟道长度控制所述侧墙型选择管的漏电。