[发明专利]一种功率器件的衬底的制造方法和控制器在审
| 申请号： | 201711389940.4 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108054200A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦思浦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于功率器件领域，提供了一种功率器件的衬底的制造方法和控制器。该方法包括：获取原始单晶片N‑；在所述原始单晶片N‑的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N‑层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。本申请在制造功率器件的衬底时，先在原始单晶片N‑的背面上刻蚀凹槽，然后再在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，从而制造成功率器件的衬底。相对于现有技术在原始单晶片N‑的背面上先形成N+层再在N+层刻蚀凹槽，本申请可以节省在所述背面形成N+层的形成时间，降低生产成本，最终节省了衬底的生产时间和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 衬底 制造 方法 控制器 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件的衬底的制造方法，其特征在于，所述方法包括：获取原始单晶片N-；在所述原始单晶片N-的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N-层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。
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