[发明专利]闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种闪存器件及其制造方法，该器件包括形成在衬底中的源极和漏极、形成在衬底表面之上的处于源极和漏极之间的栅极结构，所述栅极结构从下至上依次包括层叠的隧穿氧化层、浮栅层、绝缘介质层和控制栅层，其中所述浮栅层刻蚀形成有凹槽，所述绝缘介质层形成在设置有凹槽的浮栅层的表面之上。该方法包括在衬底中形成源极和漏极；在衬底表面之上、且处于源极和漏极之间依次形成的隧穿氧化层、浮栅层；通过光罩曝光的方式在浮栅层上刻蚀以形成凹槽；去除光罩，以在形成有凹槽的浮栅层表面形成绝缘介质层；以及在绝缘介质层之上形成控制栅层的步骤。本发明能够提高闪存器件的擦写速度，降低闪存器件的功耗，提高闪存器件的稳定性和可靠性。

主权项

一种闪存器件，其特征在于，包括形成在衬底中的源极和漏极、形成在衬底表面之上的处于源极和漏极之间的栅极结构，所述栅极结构从下至上依次包括层叠的隧穿氧化层、浮栅层、绝缘介质层和控制栅层，其中所述浮栅层刻蚀形成有凹槽，所述绝缘介质层形成在设置有凹槽的浮栅层的表面之上。