[发明专利]一种BaGa4有效

专利信息
申请号: 201711393189.5 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN109930203B 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 姚吉勇;郭扬武;李壮;罗晓宇 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B28/14
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;张红生
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种BaGa4Se7的多晶合成装置及合成方法,所述多晶合成装置包括气相传输石英管(1)、氮化硼小舟(2)和石英小管(3);所述气相传输石英管(1)为一端封闭的石英管,在石英管中部管壁向管内凹陷形成环形凹槽(4),该环形凹槽将气相传输石英管分为两部分,其中,环形凹槽至封闭端依次为过渡区和高温区,环形凹槽至开口端为低温区;所述氮化硼小舟用来盛放高纯度的钡单质和镓单质,并放置在气相传输石英管(1)的高温区;所述石英小管用于盛放硒单质并放置在气相传输石英管(1)的低温区,石英小管一端封闭,封闭端设有一个小孔(5)。本发明通过硒蒸气的气相传输反应合成BaGa4Se7多晶,产率大于99%,单次可合成200g高纯度多晶原料。
搜索关键词: 一种 baga base sub
【主权项】:
1.一种BaGa4Se7的多晶合成装置,其特征在于,所述多晶合成装置包括气相传输石英管(1)、氮化硼小舟(2)和石英小管(3);所述气相传输石英管(1)为一端封闭的石英管,在石英管中部管壁向管内凹陷形成环形凹槽(4),该环形凹槽将气相传输石英管分为两部分,其中,环形凹槽至封闭端依次为过渡区和高温区,环形凹槽至开口端为低温区;所述氮化硼小舟用来盛放高纯度的钡单质和镓单质,并放置在气相传输石英管(1)的高温区;所述石英小管用于盛放硒单质并放置在气相传输石英管(1)的低温区,石英小管一端封闭,封闭端设有一个小孔(5)。
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