[发明专利]一种高可靠性读出电路有效
| 申请号： | 201711394120.4 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107967927B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 顾明;金建明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C7/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性读出电路，包括：存储器阵列，用于存储信息和产生参考单元的参考电流；列选择电路，用于根据列译码选择信号将选中存储单元的电流传输至存储单元bitcell电流产生以及读出电路，同时在读出控制信号的控制下将参考存储单元的电流传输至读出偏置电流Ibias产生电路；读出偏置电流Ibias产生电路，采用权重系数加权将参考存储单元电流和带隙基准电流进行合并得到读出偏置电流，并产生与读出偏置电流相匹配的读出偏置电压；存储单元bitcell电流产生以及读出电路，用于产生存储单元电流，并在读出偏置电压和输出许可信号的控制下对选中存储单元的单元电流和读出偏置电流进行比较并输出数字化的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种高可靠性读出电路，包括：存储器阵列，用于存储信息和产生参考单元的参考电流Irefcell；列选择电路，用于在列译码选择信号ysel1、ysel2的控制下将选中存储单元的电流Icell传输至存储单元bitcell电流产生以及读出电路的bitcell电流输入端，同时在读出控制信号saen的控制下将参考存储单元的电流Irefcell传输至读出偏置电流Ibias产生电路的refbitcell电流输入端；读出偏置电流Ibias产生电路，通过采用权重系数加权将参考存储单元电流和带隙基准电流进行合并得到读出偏置电流Ibias，并产生与读出偏置电流Ibias相匹配的读出偏置电压nbias电压信号；存储单元bitcell电流产生以及读出电路，用于产生存储单元bitcell电流，并在读出偏置电压nbias和输出许可信号outen的控制下对选中存储单元cell的单元电流Icell和读出偏置电流Ibias进行比较并输出数字化的输出。
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