[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有牺牲柱；在所述栅极上形成支撑结构，所述支撑结构暴露出所述牺牲柱顶部；形成支撑结构之后，去除牺牲柱，在所述第一导电结构中形成第一开口，在所述栅极中形成第二开口，在所述支撑结构中形成第三开口；在所述第一开口中形成第一掺杂层，并通过第一原位掺杂在所述第一掺杂层中掺入第一掺杂离子；在所述第二开口中形成沟道层；在所述第三开口中形成第二掺杂层，并通过第二原位掺杂在所述第二掺杂层中掺入第二掺杂离子。所述形成方法能够改善半导体结构性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有牺牲柱；在所述牺牲柱部分侧壁表面形成第一导电结构，所述第一导电结构顶部表面低于所述牺牲柱顶部表面；在所述第一导电结构顶部形成栅极，所述栅极位于所述牺牲柱部分侧壁表面，所述栅极顶部表面低于所述牺牲柱顶部表面；在所述栅极顶部形成支撑结构，所述支撑结构覆盖所述牺牲柱侧壁表面，且所述支撑结构暴露出所述牺牲柱顶部；形成所述支撑结构之后，去除所述牺牲柱，在所述第一导电结构中形成第一开口，在所述栅极中形成第二开口，在所述支撑结构中形成第三开口；在所述第一开口中形成第一掺杂层，并通过第一原位掺杂在所述第一掺杂层中掺入第一掺杂离子；在所述第二开口中形成沟道层；在所述第三开口中形成第二掺杂层，并通过第二原位掺杂在所述第二掺杂层中掺入第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与第一掺杂离子的导电类型相同或相反。