[发明专利]一种HJT异质结电池及其多层透明导电薄膜在审

专利信息
申请号: 201711395346.6 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN108231928A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 崔鸽;何永才;郁操;张津燕;徐希翔 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/0224;C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 陈丹;苏蕾
地址: 100176 北京市大兴区经济*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种多层透明导电薄膜及其制备方法,所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜,至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜,所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10‑15重量%,所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量%且<10重量%;所述制备方法包括:在真空条件下连续制备多层ITO薄膜,并且在一层ITO薄膜与另一层ITO薄膜的过渡过程中,维持真空状态。本申请还提供了一种包括上述多层透明导电薄膜的HJT异质结电池。本申请的多层透明导电薄膜的光电性能较好,与p、n型非晶硅层的功函数匹配;HJT电池的各项性能指标都得到了提升。
搜索关键词: 多层透明导电薄膜 透明导电薄膜 异质结电池 掺量 制备 光电性能 过渡过程 连续制备 真空条件 真空状态 第一层 功函数 多层 两层 申请 匹配 电池
【主权项】:
1.一种多层透明导电薄膜,其特征在于,所述多层透明导电薄膜包括至少两层叠加的透明导电薄膜,至少两层透明导电薄膜均为ITO薄膜,所述第一层ITO薄膜的锡的掺量为10‑15重量%,所述第二层ITO薄膜的锡的掺量≥5重量%且<10重量%。
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