[发明专利]上电复位电路及集成电路和EEPROM系统

摘要

本发明公开了一种上电复位电路及集成电路和EEPROM系统，其中上电复位电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一电容器、第二电容器和一电阻。本发明提供的上电复位电路，通过设置电阻的阻值和第一电容器的电容值，可设置上电复位电路的复位阈值电平，实现低功耗、复位阈值电平可变的复位电路。另外，该上电复位电路具有版图面积小、功耗低、成本低等优点，可集成在一集成电路中，也可集成在一EEPROM系统中。

主权项

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一电容器、第二电容器和一电阻；所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的源极、所述第四MOS管的源极和所述第二电容器的一端连接后作为供电电源的正极输入端；所述第一MOS管的漏极分别与所述电阻的一端、所述第一电容器的一端、所述第二MOS管的漏极、所述第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极连接；所述第一MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的源极、所述第一电容器的另一端、所述第五MOS管的源极连接后作为所述供电电源的负极输入端；所述第三MOS管的漏极与所述电阻的另一端连接，所述第三MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的栅极、所述第四MOS管的漏极、所述第五MOS管的漏极和所述第二电容器的另一端连接后作为复位输出端；所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第四MOS管均为PMOS管，所述第三MOS管和所述第五MOS管均NMOS管；所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第五MOS管中，所述第三MOS管的开启电压的绝对值最小。