[发明专利]垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711396268.1 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108155239B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、栅氧化层、第一多晶硅、氮化硅侧墙；在所述第一多晶硅顶部、所述氮化硅侧墙上、所述栅氧化层侧壁及所述P型体区表面形成第二多晶硅；对所述第二多晶硅进行热处理，使得所述第二多晶硅内的N型杂质扩散到所述P型体区表面，从而在所述P型体区表面形成N型源区，并且所述第二多晶硅被氧化成为二氧化硅；形成贯穿所述开口处的二氧化硅、所述N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；在所述二氧化硅远离所述第一多晶硅的一侧形成正面金属以及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成背面金属。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、栅氧化层及第一多晶硅；对所述第一多晶硅进行光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述第一多晶硅且对应所述栅氧化层的两个开口；利用所述两个开口进行P型离子注入及驱入，使得所述N型外延层邻近所述栅氧化层的表面对应所述两个开口的位置分别形成P型体区；在所述开口处的栅氧化层上及所述第一多晶硅上形成氮化硅；对所述氮化硅进行刻蚀，从去除所述第一多晶硅上及所述P型体区上的氮化硅以及所述开口下方的部分栅氧化层，所述第一多晶硅侧壁的氮化硅侧墙被保留；在所述第一多晶硅顶部、所述氮化硅侧墙上、所述栅氧化层侧壁及所述P型体区表面形成第二多晶硅；对所述第二多晶硅进行热处理，使得所述第二多晶硅内的N型杂质扩散到所述P型体区表面，从而在所述P型体区表面形成N型源区，并且所述第二多晶硅被氧化成为二氧化硅；形成贯穿所述开口处的二氧化硅、所述N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；在所述二氧化硅远离所述第一多晶硅的一侧形成正面金属以及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成背面金属，所述正面金属经由所述接触孔连接所述P型体区。
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