[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201711396345.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108269853B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 朴在润;朴世熙;具亨埈;智光焕;尹弼相 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置，其中通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在包含金属的金属绝缘层上设置结晶氧化物半导体。该氧化物TFT包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管(TFT)，包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体。
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