[发明专利]氧化铜纳米晶及银/氧化铜异质结构的制备方法有效
申请号: | 201711396625.4 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108067254B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 吴继红;冯峰;代婷婷;毛耀全 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | B01J23/89 | 分类号: | B01J23/89;B01J37/08;B01J35/10;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 冯瑞;杨慧林 |
地址: | 215104 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明涉及一种氧化铜纳米晶的制备方法:在具有亲水性表面的基底上形成一层铜盐水溶液,在惰性气体气流下蒸发铜盐水溶液中的水,铜盐水溶液的浓度为0.05‑1.5mol/L,蒸发时间为5‑60s,惰性气体气流的流速为200cm |
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搜索关键词: | 氧化铜 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氧化铜纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在具有亲水性表面的基底上形成一层铜盐水溶液,在气体气流下蒸发所述铜盐水溶液中的水,所述铜盐水溶液的浓度为0.05-1.5mol/L,蒸发时间为5-30s,所述惰性气体气流的流速为200cm3 /s-800cm3 /s;(2)干燥经步骤(1)处理过的铜盐水溶液,使其中的水挥发,在所述基底表面形成铜盐前驱体纳米晶;(3)将步骤(2)处理过的基底进行分步煅烧,在基底表面形成所述氧化铜纳米晶;其中分步煅烧条件包括:以2.5℃/min的速率从100℃升温至250℃;然后在250℃下恒温保持4h。
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