[发明专利]射频器件封装体及其形成方法

摘要

本申请涉及射频器件封装体及其形成方法。半导体器件封装体包括含射频器件的集成电路芯片。射频器件包括在集成电路芯片的第一表面处的有源电路。天线衬底设置在集成电路的第一表面之上。天线衬底包括设置在集成电路芯片的第一表面之上的第一导电层。第一导电层包括电耦合到集成电路芯片的第一传输线。第一层压层设置在第一导电层之上。第一层压层与第一传输线的第一部分重叠。第二导电层设置在第一层压层之上。第二导电层包括与第一传输线的第二部分重叠的第一开口。第二层压层设置在第二导电层之上。第一天线设置在第二层压层之上，并与第一开口、第一传输线的第二部分和集成电路芯片重叠。

主权项

1.一种半导体器件封装体，包括：包括射频器件的集成电路芯片，其中所述射频器件包括在所述集成电路芯片的第一表面处的有源电路；天线衬底，设置在所述集成电路芯片的所述第一表面之上，所述天线衬底包括：第一导电层，设置在所述集成电路芯片的所述第一表面之上，其中所述第一导电层包括电耦合到所述集成电路芯片的第一传输线；第一层压层，设置在所述第一导电层之上，其中所述第一层压层与所述第一传输线的第一部分重叠；第二导电层，设置在所述第一层压层之上，其中所述第二导电层包括与所述第一传输线的第二部分重叠的第一开口；第二层压层，设置在所述第二导电层之上；和第一天线，设置在所述第二层压层之上并且与所述第一开口、所述第一传输线的所述第二部分以及所述集成电路芯片重叠。