[发明专利]一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201711401031.8 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108011033A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张国峰;王永良;张雪;荣亮亮;王镇;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L27/18;H01L39/04;G01R33/035 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法，所述封装方法包括：提供一SQUID平面梯度计芯片；于所述SQUID平面梯度计芯片的下方设置至少一层缓冲层；于所述缓冲层的下方设置一基板，并于所述基板上制作与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及于所述基板上设置一封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本发明提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法，解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 squid 平面 梯度 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SQUID平面梯度计芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：提供一SQUID平面梯度计芯片；于所述SQUID平面梯度计芯片的下方设置至少一层缓冲层；于所述缓冲层的下方设置一基板，并于所述基板上制作与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及于所述基板上设置一封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。
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