[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201711401682.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108269854B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 朴镇成;玉敬喆;韩基林;裵鐘旭;李胜敏;白朱爀 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管基板可包括：基础基板；设置在所述基础基板上的第一保护膜；设置在所述第一保护膜上的氧化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极与所述氧化物半导体层绝缘并且与所述氧化物半导体层的至少一部分部分地交叠；与所述氧化物半导体层连接的源极电极；和漏极电极，所述漏极电极设置在距所述源极电极预定间隔处并且与所述氧化物半导体层连接，其中所述氧化物半导体层具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氢含量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，包括：基础基板；设置在所述基础基板上的第一保护膜；设置在所述第一保护膜上的氧化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极与所述氧化物半导体层绝缘并且与所述氧化物半导体层的至少一部分部分地交叠；与所述氧化物半导体层连接的源极电极；和漏极电极，所述漏极电极设置在距所述源极电极预定间隔处并且与所述氧化物半导体层连接，其中所述氧化物半导体层具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氢含量。
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