[发明专利]相变化记忆体有效
| 申请号： | 201711403141.8 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108123035B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 苏水金 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种相变化记忆体。相变化记忆体包含主动元件、下电极、阻障件、加热器、第一绝缘层、上电极以及环状相变化层。下电极耦接主动元件，阻障件位于下电极上方，而加热器嵌于阻障件中。第一绝缘层覆盖加热器与阻障件，而上电极位于第一绝缘层上方。环状相变化层围绕第一绝缘层与上电极，且环状相变化层接触加热器的至少一侧面。由于加热器与环状相变化层之间的接触面积很小，因此相变化记忆体的重置电流很低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 | ||
【主权项】：
一种相变化记忆体，其特征在于，包含：一下电极，耦接一主动元件；一阻障件，位于该下电极上方；一加热器，嵌于该阻障件中；一第一绝缘层，覆盖该阻障件与该加热器，该第一绝缘层暴露该加热器的两个侧面；一上电极，位于该第一绝缘层上方；以及一环状相变化层，围绕该第一绝缘层与该上电极，其中该环状相变化层接触该加热器的该两侧面。
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