[发明专利]一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构在审
| 申请号： | 201711403826.2 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109962322A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孟庆南;朱晖 | 申请（专利权）人： | 香港凡谷發展有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430200 湖北省武汉市江夏区东湖新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，其包括介质腔体块、信号屏蔽金属片和PCB基板，介质腔体块与PCB基板焊接，信号屏蔽金属片一端与介质腔体块焊接、另一端与PCB基板焊接，介质腔体块上设置有谐振孔，谐振孔的内壁上镀有银层，银层的深度小于谐振孔的深度的2/3。本发明结构简单、制造方便，其通过在现有TEM全介质滤波器的谐振孔内镀一定深度的银层，并根据孔的形腔体材料和大小以及谐振孔的孔径控制上银高度从而实现了在满足TEM全介质滤波器的频率需求有效地提高滤波器的Q值，其通过控制上银高度和谐振孔高度的比例使得使用了本发明的TEM全介质滤波器相对于传统TEM滤波器Q值至少提高20％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 滤波器 全介质 谐振孔 介质腔体 银层 焊接 信号屏蔽 金属片 孔径控制 频率需求 体材料 有效地 内壁 形腔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于提升TEM全介质滤波器性能的结构，包括介质腔体块(1)、信号屏蔽金属片(2)和PCB基板(3)，所述介质腔体块(1)与所述PCB基板(3)焊接，所述信号屏蔽金属片(2)一端与所述介质腔体块(1)焊接、另一端与所述PCB基板(3)焊接，所述介质腔体块(1)上设置有谐振孔(4)，其特征在于：所述谐振孔(4)的内壁上镀有银层(5)，所述银层(5)的深度小于谐振孔(4)的深度的2/3。
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