[发明专利]一次性可编程非易失性熔丝存储单元在审
| 申请号： | 201711405780.8 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109961821A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 洪根刚 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种一次性可编程非易失性熔丝存储单元，PMOS晶体管的栅极连接于编程电压，源极、漏极和N阱连接在一起，以形成第一连接点；NMOS晶体管的栅极连接于控制信号，源极连接于第一连接点；其中，当NMOS晶体管在所述控制信号的控制下被打开时，将大于阈值电压的编程电压施加到PMOS晶体管的栅极，并保持预定时间段，以改变PMOS晶体管的至少一个物理特性，从而使第一连接点输出的逻辑电平被改变。本发明实施例的一次性可编程存储器非易失性熔丝存储单元不需要额外的掩膜，可以满足CMOS工艺不同制程的需求，提供多样化的一次性可编程存储器解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 熔丝存储单元 非易失性 连接点 一次性可编程存储器 一次性可编程 编程电压 控制信号 栅极连接 预定时间段 逻辑电平 物理特性 源极连接 阈值电压 漏极 掩膜 源极 制程 施加 输出 | ||
【主权项】：
1.一种一次性可编程非易失性熔丝存储单元，其特征在于，包括：PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极连接于编程电压，所述PMOS晶体管的源极、漏极和N阱连接在一起，以形成第一连接点；第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极连接于控制信号，所述第一NMOS晶体管的源极连接于所述第一连接点；其中，当所述第一NMOS晶体管在所述控制信号的控制下被打开时，将大于阈值电压的所述编程电压施加到所述PMOS晶体管的栅极，并保持预定时间段，以改变所述PMOS晶体管的至少一个物理特性，并使所述第一连接点输出的逻辑电平被改变。
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