[发明专利]一种长爬电光电耦合器的制备工艺在审
申请号: | 201711406926.0 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108155106A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 黄伟鹏 | 申请(专利权)人: | 珠海市大鹏电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/54;H01L25/16 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519100 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种长爬电光电耦合器的制备工艺,包括下列步骤:将引线框架放入制备模具,向模具内挤压填充树脂胶,进行外壳预制备,形成预置外壳,预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域;在预留区域上点上导电银胶,然后放置发射及接收芯片,进行第一次高温烘烤固化;将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接;在发射及接收芯片区域点胶,并第二次高温烘烤;使用环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充,进行第三次高温烘烤固化;对金属引脚镀锡保护;产品引脚进行弯折成型。本发明在引线框架外设置预制备外壳,再使用硅胶进行内部填充绝缘保护,杜绝内部绝缘材质产生气孔现象,有效提高产品耐压安全可靠性。 | ||
搜索关键词: | 接收芯片 引线框架 预留区域 次高温 发射 光电耦合器 烘烤固化 制备工艺 爬电 预置 预制 焊点 安全可靠性 环氧树脂胶 导电银胶 镀锡保护 金属引脚 绝缘保护 绝缘材质 内部填充 气孔现象 填充树脂 外壳内部 弯折成型 制备模具 再使用 烘烤 点胶 放入 硅胶 耐压 引脚 填充 焊接 模具 挤压 | ||
【主权项】:
一种长爬电光电耦合器的制备工艺,其特征在于包括下列步骤:(1)制作预置外壳,将长爬电光电耦合器的引线框架放入制备模具,向模具内挤压填充树脂胶,进行外壳预制备,形成含有发射及接收芯片放置入口的预置外壳,预置外壳内部的引线框架上设置有发射及接收芯片预留区域;(2)固晶,在预留区域的引线框架上点上导电银胶,然后在导电银胶上放置发射及接收芯片;(3)第一次高温烘烤固化,使导电银胶将芯片粘结固化在引线框架上;(4)焊线,将发射及接收芯片的焊点与引线框架焊接;(5)点胶,在发射及接收芯片区域点胶,利用硅胶的流动性及聚变性,将发射及接收芯片完全包裹保护起来;(6)第二次高温烘烤,将硅胶进一步固化;(7)白胶点胶,使用液态白色环氧树脂胶将外壳内预留区域完全填充;(8)丝印刮平,对产品表面白胶进行丝印刮平;(9)第三次高温烘烤固化,使制备的环氧树脂彻底固化;(10)对金属引脚镀锡保护;(11)最后对产品引脚进行弯折成型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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