[发明专利]一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 201711408854.3 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231322B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 宋振纶;丁雪峰;胡方勤;杨丽景;姜建军;郑必长;武秉晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;包头希迪瑞科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F41/02;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，包括烧结钕铁硼磁体和经磁控溅射法沉积在所述烧结钕铁硼磁体外表面的复合薄膜；所述复合薄膜的元素组成包括必要元素Tb和/或Dy，与可选元素Cu，所述复合薄膜为共溅射混合薄膜，或者为交替混合薄膜。本发明提供了一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，该烧结钕铁硼磁体的矫顽力得到了显著提高，且生产成本显著下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 复合 薄膜 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体，其特征在于，包括烧结钕铁硼磁体和经磁控溅射法沉积在所述烧结钕铁硼磁体外表面的复合薄膜；所述复合薄膜的元素组成包括必要元素Tb和/或Dy，与可选元素Cu，所述复合薄膜为共溅射混合薄膜，或者为交替混合薄膜。
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