[发明专利]一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。本发明的CMOS影像传感封装结构的制作方法的步骤中，先将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片固定于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄，这个过程中，透明基材对晶圆起到更多的机械支撑力，因而能够将晶圆磨得更薄，CMOS影像传感封装结构具有薄型化的特点。另外，第二安装区具有保护胶层，保护胶层可以阻止氧气水汽进入内元件、吸收散漫光线，整个CMOS影像传感封装结构寿命更长，使用效果更好。并且，制作过程中透明基材是在半导体厂进行的，洁净度更高，可以避免对CMOS影像传感封装结构的污染。

主权项

一种COMS影像传感封装结构的制作方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔，所述盲孔穿过所述第一绝缘层且孔底位于所述晶圆，所述第一绝缘层背离所述晶圆的表面具有微凸镜；所述微凸镜与所述盲孔所在的区域分别为第一安装区和第二安装区，所述第一安装区与所述第二安装区互不重叠；将第二绝缘层形成于所述盲孔的孔壁，然后在具有所述第二绝缘层的所述盲孔内填充导电材料，将所述结合层内与所述微凸镜和IC信号连接的导线引至所述第一绝缘层的表面并与所述导电材料电性连接；将透明基材固定于所述第一绝缘层具有所述微凸镜的表面，且所述透明基材设置在所述第一安装区；将挡片晶片形成于所述透明基材的表面，然后对所述晶圆进行磨薄以使得所述盲孔内的所述导电材料露出；将第三绝缘层形成于磨薄后的所述晶圆表面并使得所述导电材料露出，然后将金属凸块形成于所述第三绝缘层并与所述导电材料电连接，将锡球固定于所述金属凸块，将所述挡片晶片去除后，将保护胶层形成于所述第一绝缘层上，且所述保护胶层位于所述第二安装区。