[发明专利]一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路在审
申请号: | 201711416683.9 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108054947A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 高大威;朱国栋 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路,属于零电压零电流开关(ZVZCS)全桥PWM DC‑AC变换技术领域,包括四个全控型开关器件、与开关器件串联的缓冲电感、与开关器件并联的缓冲电容和阻断反向冲击电流的二极管。左侧半桥为滞后桥臂,右侧半桥为超前桥臂,系统采用两桥臂不对称设计。本发明用很少的附加元器件抑制了移相全桥逆变电路开关器件在开关过程中的高电压和电流上升率,实现了对开关器件的有效保护,具有很高的创新型和实用性。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 无线 充电 移相全桥软 开关 电路 | ||
【主权项】:
1.一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路,所述逆变电路包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)、第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)、第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)、第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2);第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)在一条桥臂上,第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)在另一条桥臂上,两条桥臂构成全桥逆变电路的主体,第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)和第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)的漏极连接到直流母线正电压端,第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)的源极连接到直流母线负电压端;其特征在于,第一电感(L1)和第二电感(L2)串联后插入第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)之间,这两个电感的公共点为逆变电路输出点之一;第一电感(L1)的另一端和第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)的源极连接,第二电感(L2)的另一端和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)的漏极连接;第一二极管(D1)的阴极和第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)的源极连接,第一电容(C1)两端分别和第一二极管(D1)的阳极和第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)的漏极连接;第二二极管(D2)的阳极和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)的漏极连接,阴极和第一二极管(D1)的阳极连接;第二电容(C2)两端分别和第二二极管(D2)的阴极和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)的源极连接;第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)的源极和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)的漏极连接;第三电容(C3)的两端和第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)的漏极和源极连接;第四电容(C4)的两端和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)的漏极和源极连接;第三电容(C3)和第四电容(C4)的公共点为逆变电路的另一输出点。
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