[发明专利]包括绝缘层的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711418493.0 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108987272B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 林永大;郑承宰;邦晋荣;金一宇;郑虎吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;朱智勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供包括绝缘层的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：衬底；绝缘层和栅电极的叠层结构，所述绝缘层和栅电极交替地并且重复地堆叠在所述衬底上；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构。所述绝缘层包括下绝缘层、设置在所述下绝缘层上的中间绝缘层和设置在所述中间绝缘层上的上绝缘层。所述下绝缘层的硬度小于所述中间绝缘层的硬度，并且所述上绝缘层的硬度大于所述中间绝缘层的硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 绝缘 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；叠层结构，所述叠层结构具有交替堆叠在所述衬底上的绝缘层和栅电极；以及柱，所述柱穿过所述叠层结构，其中：所述绝缘层包括多个下绝缘层、在所述下绝缘层上的多个中间绝缘层和在所述多个中间绝缘层上的多个上绝缘层；所述多个下绝缘层的硬度低于所述多个中间绝缘层的硬度；以及所述多个上绝缘层的硬度高于所述多个中间绝缘层的硬度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
