[发明专利]高纯硒化镉的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711418705.5 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108017042B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 李德官;朱刘;范文涛;胡智向;邹林平 申请(专利权)人: 清远先导材料有限公司
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 张向琨;高虹
地址: 511517 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种高纯硒化镉的制备方法,其包括步骤:S1,将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中,升温至800℃~1200℃同时升压至10个标准大气压及以上,保温保压进行反应直至反应结束,降温降压后出炉,得到硒化镉初料;S2,将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中,升温至700℃~900℃并通入氢气进行氢化除杂,降温出炉后得到高纯硒化镉。本申请以镉粒和硒粒为原料,高温高压反应后经氢化除杂,可得到高纯硒化镉,所述制备方法工艺流程短,产品收率高,部分不合规格的产品可作为原料重复利用,适合批量生产。
搜索关键词: 高纯 硒化镉 制备 方法
【主权项】:
1.一种高纯硒化镉的制备方法,其特征在于,包括步骤:S1,将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中,升温至800℃~1200℃同时升压至10个标准大气压及以上,保温保压进行反应直至反应结束,降温降压后出炉,得到硒化镉初料;S2,将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中,升温至700℃~900℃并通入氢气进行氢化除杂,降温出炉后得到高纯硒化镉。
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