[发明专利]一种高性能折射率灵敏度传感器件及其测试方法在审

专利信息
申请号: 201711419348.4 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108303397A 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 秦琳玲;李孝峰;吴邵龙;张程 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;G01N21/552
代理公司: 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 代理人: 杨晓东
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种新的高性能折射率传感器件设计方案,并进一步提出该传感器件的灵敏度测试方法,该测试方法成本较低,在生物、医学、食品等领域具有广泛应用。基于表面等离子体共振的传感技术,具有设计方案简单、结构简单、加工技术要求低、制备成本低、无需标定、实时检测、非接触、无损伤等突出特点,较高的灵敏度可用于气体、液体和生物膜等的分析检测,展示了巨大的应用前景,有望发展为具有超高检测灵敏度的新型表面等离子体传感器件及其测试方法。
搜索关键词: 灵敏度 测试 表面等离子体共振 等离子体传感器 加工技术要求 灵敏度传感器 折射率传感器 灵敏度测试 超高检测 传感技术 传感器件 分析检测 实时检测 新型表面 非接触 生物膜 无损伤 折射率 标定 可用 制备 应用 医学 展示
【主权项】:
1.一种高性能折射率传感器件,其特征在通过如下步骤进行设计,具体包括:利用有限元分析软件中的射频模块建立几何模型并选择材料,设计硅纳米线为等边三角形阵列排布,每个等边三角形的边长为1000nm;采用硅基底及硅纳米线,设计生成等边三角形排布的金‑硅共形纳米线阵列,所述硅纳米线表面覆盖金层,所述硅基底厚度为300nm,所述硅纳米线半径为300nm,所述硅纳米线深度为500‑1500nm,所述金层厚度为50‑90nm。
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