[发明专利]直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法有效
| 申请号： | 201711420397.X | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109956495B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 唐成春;贾宪生;李俊杰;顾长志;金爱子 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述方法包括以下步骤：1)第一控温区放置硫，第二控温区放置碘化亚锡作为反应源，然后在第四控温区放置衬底；2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下，通入惰性气体作为保护气和载气；3)分别对第二、三、四控温区加热；4)将第一控温区加热至90℃‑200℃，并保温1‑3小时；5)将水平管式炉降温至室温，从第四控温区中取出衬底，得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片。本发明提供的方法为一步化学气相沉积法，该方法操作简单，制备过程中加入过量硫，从而不需要进行进一步的硫化退火处理，即可得到高质量、大面积的二硫化锡单晶纳米片。 | ||
| 搜索关键词： | 直立 交错 花瓣 硫化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述水平管式炉包括第一控温区、第二控温区、第三控温区和第四控温区，所述方法包括以下步骤：1)在所述四控温区水平管式炉的第一控温区放置硫，第二控温区放置锡源作为反应源，然后在第四控温区放置衬底用于沉积二硫化锡纳米片；2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下，通入惰性气体作为保护气和载气，从第一控温区向第四控温区吹扫；3)分别对第二、三、四控温区加热；其中，将第二控温区加热至200‑400℃，并保温1‑3小时；将第三控温区加热至600℃‑800℃，并保温1‑3小时；将第四控温区加热到300℃‑500℃，并保温1‑3小时；4)将第一控温区加热至90℃‑200℃，并保温1‑3小时；5)将四控温区水平管式炉降温至室温，从第四控温区中取出衬底，得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片。
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