[发明专利]一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁在审
| 申请号： | 201711420722.2 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109961856A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑智颖;李彪;郑鑫;王悦;蔡伟华;王璐 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G21B1/13 | 分类号： | G21B1/13 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，属于核聚变装置技术领域。该聚变第一壁的外壁表面覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层；材料层的外表面在直面等离子体的壁面上还设有一层均匀的保护层。本发明通过在核聚变第一壁的外壁和保护层之间覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层，可以实现第一壁直面等离子体壁面热量转移到侧面，使得第一壁的壁体温度分布均匀，进而防止第一壁因局部温度过高而熔穿，同时可减小第一壁的结构热应力。本发明的核聚变第一壁适用于核聚变反应装置。 | ||
| 搜索关键词： | 第一壁 等离子体 核聚变 直面 温度过高 材料层 导热系数 保护层 热系数 核聚变反应装置 温度分布均匀 核聚变装置 热量转移 外壁表面 热应力 壁面 壁体 覆盖 减小 外壁 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，其特征在于，所述核聚变第一壁(1)的外壁表面覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层(2)；所述材料层(2)外表面在直面等离子体的壁面上还设有一层均匀的保护层(3)。
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