[发明专利]应用列信号线的远端电路的存储器电路结构有效
申请号: | 201711421080.8 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN109961822B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 张臻贤;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种存储器电路结构,包括存储阵列、多条列信号线、驱动单元以及下拉电路,存储阵列包括多个存储单元,多个存储单元阵列分布。列信号线与沿直线纵向分布的多个存储单元连接,并具有近端和远端。驱动单元连接于列信号线的近端,用于通过列信号线驱动所述存储单元。下拉电路连接于列信号线的远端,使列信号线的远端嵌位在低电平。本发明的技术方案可以实现在存储器电路结构中的某条列信号线发生故障时,不会影响其他列信号线的正常工作,从而可以改善存储器的性能,提高存储器的良率。 | ||
搜索关键词: | 应用 信号线 远端 电路 存储器 结构 | ||
【主权项】:
1.一种存储器电路结构,其特征在于,包括:存储阵列,包括多个存储单元,所述多个存储单元阵列分布;多条列信号线,所述列信号线与沿直线纵向分布的多个所述存储单元连接,并具有近端和远端;驱动单元,连接于所述列信号线的近端,用于通过所述列信号线驱动所述存储单元;以及下拉电路,连接于所述列信号线的远端,使所述列信号线的远端嵌位在低电平。
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