[发明专利]一种硅衬底集成气体传感器在审
| 申请号： | 201711422045.8 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108195885A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 胡静 | 申请（专利权）人： | 佛山市车品匠汽车用品有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅衬底集成气体传感器，其在硅衬底中集成气体传感器，包括在硅衬底中包括半导体器件区以及气体传感区，在所述气体传感区中具有通过刻蚀形成的开槽，所述开槽的底部和侧壁形成一绝缘层，所述开槽的形状为正方形，所述开槽底部正方形的一边的绝缘层中设置一长条形金属电极，所述开槽的侧壁的绝缘层中设置竖直排列的金属细电极，在所述开槽底部的绝缘层上设置阵列气体传感器，阵列气体传感器包括多个阵列排布的传感位点，解决了目前气体传感器与硅基半导体芯片集成的问题，使气体传感器小型化，实现在硅基芯片中直接集成气体传感功能，使气体传感器的应用扩大并通过与材料研究的配合提高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 气体传感器 开槽 绝缘层 硅衬底 气体传感 侧壁 半导体器件区 长条形金属 硅基半导体 材料研究 多个阵列 硅基芯片 竖直排列 芯片集成 细电极 电极 传感 刻蚀 排布 位点 金属 应用 配合 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底集成气体传感器，其在硅衬底中集成气体传感器，其特征在于，包括在硅衬底中包括半导体器件区以及气体传感区，在所述气体传感区中具有通过刻蚀形成的开槽，所述开槽的底部和侧壁形成一绝缘层，所述开槽的形状为正方形，所述开槽底部正方形的一边的绝缘层中设置一长条形金属电极，所述开槽的侧壁的绝缘层中设置竖直排列的金属细电极，在所述开槽底部的绝缘层上设置阵列气体传感器，阵列气体传感器包括多个阵列排布的传感位点，所述开槽、绝缘层、金属电极、金属细电极以及阵列排布的传感位点的制造步骤采用硅基半导体器件制造工艺中的方法步骤。
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