[发明专利]高频三极管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种高频三极管及其制作方法。所述制作方法获得的高频三极管包括P型衬底、第一N型外延层与第二N型外延层、两个隔离沟槽、集电极磷桥、热氧化层与隔离层、贯穿所述热氧化层的倒梯形开口、贯穿所述隔离层且与所述倒梯形开口连通的矩形开口、P型多晶硅与TEOS层、贯穿所述P型多晶硅与TEOS层的发射极沟槽、基区、在所述基区两侧的P型高掺杂区、在所述基区表面形成的N型区域、隔离侧墙、发射极多晶硅、第一接触孔、第二接触孔、发射极、基极、集电极，其中，所述第一N型外延层可以为N型高掺杂外延层，所述第二N型外延层为N型低掺杂外延层，所述隔离沟槽中依序形成有隔离氧化层及多晶硅，所述隔离层的材料包括TEOS或BPSG。

主权项

1.一种高频三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上依序形成第一N型外延层及第二N型外延层，所述第一N型外延层可以为N型高掺杂外延层，所述第二N型外延层为N型低掺杂外延层；进行光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述第一N型外延层及第二N型外延层并延伸至所述P型衬底中的两个隔离沟槽，所述隔离沟槽中依序形成有隔离氧化层及多晶硅；利用光刻胶为掩膜，对所述两个隔离沟槽之间且邻近其中一隔离沟槽的位置的第一及第二N型外延层进行N型注入；进行热氧化从而在所述第一及第二N型外延层表面及所述两个隔离沟槽上方形成热氧化层，并且使得注入的N型离子被激活扩散从而形成集电极磷桥，进一步在所述热氧化层上形成隔离层，所述隔离层的材料包括TEOS或BPSG；使用湿法腐蚀所述隔离层与所述热氧化层，使得所述隔离层形成贯穿的倒梯形开口，以及使得所述热氧化层形成贯穿的且与所述倒梯形开口连通的矩形开口，所述第二N型外延层的部分区域通过所述两个开口被暴露；去除光刻胶，在所述隔离层及所述两个开口上依序形成P型多晶硅与TEOS层，进行光刻与刻蚀去除所述两个开口中间区域的部分P型多晶硅与TEOS层从而形成发射区沟槽以及去除所述集电极磷桥及邻近集电极磷桥的一隔离沟槽上的P型多晶硅与TEOS层，进行基区注入从而在所述发射区沟槽位置的第二N型外延层表面形成基区，在所述基区两侧的P型多晶硅下方的N型外延层表面形成P型高掺杂区，在所述基区表面形成N型区域，在所述发射区沟槽侧壁及N型区域两侧的基区上形成隔离侧墙，在所述隔离侧墙上及所述N型区域上形成发射极多晶硅，形成贯穿所述TEOS层并延伸至所述P型多晶硅的第一接触孔及贯穿所述隔离层且对应所述集电极磷桥的第二接触孔，在所述发射极多晶硅上形成发射极，在所述TEOS层上形成通过所述第一接触孔连接所述P型多晶硅的基极，以及在所述隔离层上形成通过所述第二接触孔连接所述集电极磷桥的集电极。