[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201711422876.5 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN107946336A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孟俊生;李志伟;黄仁德;王欢 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图形传感器及其形成方法，其中，所述图形传感器的形成方法包括提供初始基底；去除部分初始基底，形成基底，所述基底顶部具有若干第一开口，所述第一开口的顶部尺寸大于底部尺寸，且所述第一开口顶部所在的平面与第一开口的侧壁构成锐角；在所述基底顶部以及第一开口内形成隔离层，所述隔离层充满第一开口；在所述隔离层的顶部表面形成滤色镜和位于滤色镜表面的透镜。所述方法基底对光子的吸收量较多，所形成的图形传感器对光的敏感度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供初始基底；去除部分初始基底，形成基底，所述基底顶部具有若干第一开口，所述第一开口的顶部尺寸大于底部尺寸，且所述第一开口顶部所在的平面与第一开口的侧壁构成锐角；在所述基底顶部以及第一开口内形成隔离层，所述隔离层充满第一开口；在所述隔离层的顶部表面形成滤色镜和位于滤色镜表面的透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
