[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置在审

专利信息
申请号: 201711423161.1 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN109956447A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 王贤超 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B81B7/04 分类号: B81B7/04;B81B1/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述MEMS器件包括:衬底;振膜,位于所述衬底上;固定脚,位于所述衬底和振膜之间并且设置于所述振膜的边缘位置;阻隔结构,贯穿设置于所述固定脚中并将所述阻隔结构两侧的所述固定脚相互隔离;背腔,形成于所述衬底中并露出所述振膜。本发明在所述MEMS器件中在所述固定脚中通过设置阻隔结构,可以在背腔蚀刻时用于阻隔所述固定脚被蚀刻,对所述固定脚起到保护作用,不仅可以精确控制固定脚(anchor)大小,还可以减少BOE对晶圆边缘氧化硅的侧向刻蚀的偏差,在不牺牲麦克风性能的前提下提高成品率。
搜索关键词: 固定脚 衬底 振膜 阻隔结构 蚀刻 电子装置 背腔 制备 边缘位置 侧向刻蚀 晶圆边缘 麦克风 成品率 氧化硅 阻隔 隔离 贯穿
【主权项】:
1.一种MEMS器件,其特征在于,所述MEMS器件包括:衬底;振膜,位于所述衬底上;固定脚,位于所述衬底和振膜之间并且设置于所述振膜的边缘位置;阻隔结构,贯穿设置于所述固定脚中并将所述阻隔结构两侧的所述固定脚相互隔离;背腔,形成于所述衬底中并露出所述振膜。
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