[发明专利]利用后端制程实现的器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711425961.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108123036A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨鸣鹤;金子贵昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及在后端制程中实现的器件及其制造方法。器件可以包括：导电层(101)；在导电层的一部分上的第一材料层(113)，第一材料层具有底部部分和在底部部分的两侧从底部部分向上延伸的侧壁部分；在第二材料层之上的第二材料层(115)；以及电极，第二材料层在第一材料层和电极之间。第一材料层和第二材料层各自由金属氧化物形成，并且包含相同的金属元素。第一材料层和第二材料层中的一个是氧缺乏层，而另一个是富氧层。器件被配置为能够通过在导电层和电极之间施加预定的电压差而改变该器件中导电层和电极之间的导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 第二材料层 第一材料 电极 导电层 制程 导通状态 金属元素 向上延伸 自由金属 电压差 富氧层 氧缺乏 氧化物 侧壁 制造 施加 配置 | ||
【主权项】：
一种利用后端制程实现的器件，其特征在于，包括：导电层(101)；在所述导电层的一部分上的第一材料层(113)，所述第一材料层具有底部部分和在底部部分的两侧从底部部分向上延伸的侧壁部分；在所述第二材料层之上的第二材料层(115)；以及电极，所述第二材料层在所述第一材料层和所述电极之间，其中，所述第一材料层和所述第二材料层各自由金属氧化物形成，并且包含相同的金属元素，其中，所述第一材料层和所述第二材料层中的一个是氧缺乏层，而另一个是富氧层，并且其中，所述器件被配置为能够通过在所述导电层和所述电极之间施加预定的电压差而改变所述器件中所述导电层和所述电极之间的导通状态。
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