[发明专利]一种多通道集成滤光片的光隔离结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711426682.2 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107907935A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 周东平 | 申请（专利权）人： | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区娄*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多通道集成滤光片的光隔离结构，包括设置在基片表面上的黑铬金属膜层，以阻止光线通过，黑铬金属膜层分布于多通道集成滤光片通道间的空白区域；还包括消光层，消光层由第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层组成。本发明还揭示了一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法。本发明通过真空镀膜工艺在基片表面上设置黑铬金属膜层和由四层氧化物光学薄膜组成的消光层，利用黑铬金属膜层满足光学透过性能低的要求，同时，利用消光层消除黑铬金属膜层表面的反射光，可有效实现多通道集成滤光片各通道之间的隔离，保障多通道集成滤光片的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 集成 滤光 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多通道集成滤光片的光隔离结构，其特征在于，包括设置在基片表面上的黑铬金属膜层，以阻止光线通过，所述黑铬金属膜层分布于多通道集成滤光片通道间的空白区域；还包括消光层，所述消光层由第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层组成，所述第一氧化铬膜层设置在所述黑铬金属膜层上，所述第一二氧化硅膜层设置在所述第一氧化铬膜层上，所述第二氧化铬膜层设置在所述第一二氧化硅膜层上，所述第二二氧化硅膜层设置在所述第二氧化铬膜层上。
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