[发明专利]一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711428196.4 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108218473A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 吴雪松;钱立强;曹英斌;周帆 申请(专利权)人: 宜兴市天宇世纪高新科技有限公司
主分类号: C04B41/85 分类号: C04B41/85;C04B41/50
代理公司: 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 代理人: 丁骞
地址: 214211*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法,该方法步骤如下:a、以碳材料为基底;b、将C粉、SiC粉、B4C粉和化学纯硅溶胶按照质量比30~40%:30~50%:10~20%:50~60%混合均匀配制成浆料,将浆料均匀地刷涂或者喷涂在碳材料表面,后烘干;c、以单质硅为原料通过气相渗硅工艺对具有预涂层的碳材料进行气相渗硅处理,便在碳材料表面得到了致密的硼改性Si‑SiC涂层。本发明采用的“浆料涂覆——气相硅原位反应”工艺结合了浆料涂覆工艺和气相渗硅工艺的特点,具有工艺简单、流程短、生产周期短、成本低等优点,涂层致密度很高、抗热震性能良好且能够在中低温环境中长时间保护碳材料不被氧化。
搜索关键词: 碳材料 中低温 渗硅 抗氧化涂层 浆料涂覆 制备 生产周期 致密 抗热震性能 配制成浆料 工艺结合 时间保护 原位反应 单质硅 硅溶胶 化学纯 硼改性 预涂层 质量比 烘干 喷涂 地刷 基底 浆料
【主权项】:
1.一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法,其特征在于:该方法步骤如下:a、以碳材料为基底;b、将C粉、SiC粉、B4C粉和化学纯硅溶胶按照质量比30~40%:30~50%:10~20%:50~60%混合均匀配制成浆料,将浆料均匀地刷涂或者喷涂在碳材料表面,然后烘干;c、以单质硅为原料通过气相渗硅工艺对具有预涂层的碳材料进行气相渗硅处理,便在碳材料表面得到了致密的硼改性Si‑SiC涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜兴市天宇世纪高新科技有限公司,未经宜兴市天宇世纪高新科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711428196.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top