[发明专利]一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201711428196.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108218473A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吴雪松;钱立强;曹英斌;周帆 | 申请（专利权）人： | 宜兴市天宇世纪高新科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C04B41/50 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 丁骞 |
| 地址： | 214211*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，该方法步骤如下：a、以碳材料为基底；b、将C粉、SiC粉、B4C粉和化学纯硅溶胶按照质量比30～40%:30～50%:10～20%:50～60%混合均匀配制成浆料，将浆料均匀地刷涂或者喷涂在碳材料表面，后烘干；c、以单质硅为原料通过气相渗硅工艺对具有预涂层的碳材料进行气相渗硅处理，便在碳材料表面得到了致密的硼改性Si‑SiC涂层。本发明采用的“浆料涂覆——气相硅原位反应”工艺结合了浆料涂覆工艺和气相渗硅工艺的特点，具有工艺简单、流程短、生产周期短、成本低等优点，涂层致密度很高、抗热震性能良好且能够在中低温环境中长时间保护碳材料不被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 碳材料 中低温 渗硅 抗氧化涂层 浆料涂覆 制备 生产周期 致密 抗热震性能 配制成浆料 工艺结合 时间保护 原位反应 单质硅 硅溶胶 化学纯 硼改性 预涂层 质量比 烘干 喷涂 地刷 基底 浆料 | ||
【主权项】：
1.一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：该方法步骤如下：a、以碳材料为基底；b、将C粉、SiC粉、B4C粉和化学纯硅溶胶按照质量比30～40%:30～50%:10～20%:50～60%混合均匀配制成浆料，将浆料均匀地刷涂或者喷涂在碳材料表面，然后烘干；c、以单质硅为原料通过气相渗硅工艺对具有预涂层的碳材料进行气相渗硅处理，便在碳材料表面得到了致密的硼改性Si‑SiC涂层。
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