[发明专利]一种SiC MOSFET串联电路

摘要

本发明公开了一种SiC MOSFET串联电路，该电路通过使用碳化硅器件直接串联，可以实现至少6kV的高耐压和开关频率几十kHz的功率器件，不仅提高了器件的运行效率和频率，而且有效的控制了成本；还实现了完整的器件保护和启动过程控制，非常适合于高压、高温、高功率密度电力电子变换器领域。

主权项

1.一种SiC MOSFET串联电路，其特征在于：包括N个MOSFET管和N个MOSFET管驱动电路；N个MOSFET管依次串联构成MOSFET串，第i个MOSFET管的漏极与第i+1个MOSFET管的源极连接，i为整数，1≤i≤N-1，第1个MOSFET管的源极为MOSFET串的源极，第1个MOSFET管的栅极为MOSFET串的栅极，第N个MOSFET管的漏极为MOSFET串的漏极；第1个MOSFET管驱动电路向第1个MOSFET管的栅极输入驱动脉冲PGM，其余N-1个MOSFET管驱动电路依次串联，第2个MOSFET管驱动电路的输入端与第1个MOSFET管的源极连接，第j个MOSFET管驱动电路的输出端还与第j个MOSFET管的栅极连接，2≤j≤N。