[发明专利]多晶硅高阻的制作方法有效
| 申请号： | 201711429247.5 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108122959B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 李友洪 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/167 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;李余江 |
| 地址： | 318050 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅高阻的制作方法，包括：在具有预设厚度的多晶硅层进行掺杂，以形成轻掺杂多晶硅上层和非掺杂多晶硅下层；在所述轻掺杂多晶硅上层表面形成二氧化硅阻挡层；对所述二氧化硅阻挡层和所述轻掺杂多晶硅上层进行刻蚀，以将多晶硅高阻区域刻蚀出来；在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙；利用所述氮化硅侧墙和所述二氧化硅阻挡层的阻挡，对所述非掺杂多晶硅下层进行重掺杂，以在所述多晶硅高阻区域的侧下方形成重掺杂多晶硅区域；通过刻蚀将所述重掺杂多晶硅区域和所述多晶硅高阻区域相互隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅高阻 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅高阻的制作方法，其特征在于，包括：在具有预设厚度的多晶硅层进行掺杂，以形成轻掺杂多晶硅上层和非掺杂多晶硅下层；在所述轻掺杂多晶硅上层表面形成二氧化硅阻挡层；对所述二氧化硅阻挡层和所述轻掺杂多晶硅上层进行刻蚀，以将多晶硅高阻区域刻蚀出来；在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙；利用所述氮化硅侧墙和所述二氧化硅阻挡层的阻挡，对所述非掺杂多晶硅下层进行重掺杂，以在所述多晶硅高阻区域的侧下方形成重掺杂多晶硅区域；通过刻蚀将所述重掺杂多晶硅区域和所述多晶硅高阻区域相互隔离。
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