[发明专利]一种太阳黑硅电池硅片的处理方法

摘要

本发明公开了一种太阳黑硅电池硅片的处理方法，包括以下步骤：使用碱溶液对硅片的表面进行化学腐蚀处理，以除去硅片表面的损伤层；将经过处理后的硅片在20‑80℃的纯水中进行清洗，清洗次数至少一次；将处理后的硅片进行沉银、挖孔、脱银、扩孔、修饰、酸洗、烘干处理。本发明在20‑80℃的纯水中将硅酸钠或硅酸钾去除，不用硝酸、氢氟酸等化学品处理硅酸钠或硅酸钾，减少了化学品的用量，也减少了氮、氟的废液排放。 1

主权项

1.一种太阳黑硅电池硅片的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S 101使用碱溶液对硅片的表面进行化学腐蚀处理，以除去硅片表面的损伤层；

S 102将经过步骤S101处理后的硅片在20‑80℃的纯水中进行清洗，清洗次数至少一次；

S 103将步骤S102处理后的硅片进行沉银、挖孔、脱银、扩孔、修饰、酸洗、烘干处理。

2.如权利要求1所述的太阳黑硅电池硅片的处理方法，其特征在于，步骤S101中，所述硅片的晶型为单晶、多晶、类单晶。

3.如权利要求1所述的太阳黑硅电池硅片的处理方法，其特征在于，步骤S101中，所述碱溶液为氢氧化钠和/氢氧化钾。