[发明专利]阵列基板及其制备方法、柔性OLED显示器件在审
| 申请号： | 201711429925.8 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108074864A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张鹏振 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在柔性衬底上依次沉积金属铝膜、沉积缓冲层、沉积非晶硅薄膜；对非晶硅薄膜依次进行去氢处理和氢氟酸清洗后，再对其进行晶化处理，使非晶硅薄膜转变成低温多晶硅薄膜；再对所述低温多晶硅薄膜进行图案化处理，形成低温多晶硅层。所述金属铝膜的存在，使得可采用较高温度的等离子增强化学气相沉积法形成致密性高的缓冲层，缓解了对柔性衬底的撞击，而不会对PECVD设备的腔体、管道带来的有机物污染。本发明还提供了一种阵列基板和柔性OLED显示器件。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列基板 低温多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 缓冲层 衬底 制备 等离子增强化学气相沉积法 沉积非晶硅薄膜 沉积金属铝膜 低温多晶硅 氢氟酸清洗 图案化处理 有机物污染 金属铝膜 晶化处理 去氢处理 致密性高 腔体 沉积 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供柔性衬底，在所述柔性衬底上沉积金属铝膜；采用等离子增强化学气相沉积法在所述金属铝膜上沉积缓冲层；在所述缓冲层之上沉积非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，使所述非晶硅薄膜转变成低温多晶硅薄膜；对所述低温多晶硅薄膜进行图案化处理，形成一定形状的低温多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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