[发明专利]SiC晶圆在线加工方法在审
| 申请号： | 201711432420.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962006A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 石佩 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。上述方法通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 在线加工 非透光 淀积 背面 晶圆片 光线传感器 加工工序 加工效率 正面设置 定位边 有效地 透光 保证 加工 | ||
【主权项】：
1.一种SiC晶圆在线加工方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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