[发明专利]离子植入方法及离子植入设备在审
| 申请号： | 201711432947.X | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108155091A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 田成俊;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/67;H01J37/32;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种离子植入方法及离子植入设备，所述离子植入方法包括：发射离子束，所述离子束覆盖的范围形成离子植入区；所述离子植入区内具有第一晶圆进行离子植入，所述离子植入区外具有第二晶圆作为待处理晶圆；当所述第一晶圆完成离子植入后，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程中，控制所述第二晶圆进入离子植入区作为第一晶圆进行离子植入。由于第一晶圆离开离子植入区的同时，第二晶圆进入离子植入区，使得相邻两片晶圆在离子植入区内的时间间隔可以很短，甚至做到无缝交替，从而使离子束始终能够作用于晶圆，对晶圆的表面进行离子植入，提升离子植入的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 离子 植入 离子植入区 离子束 离子植入设备 无缝交替 植入的 片晶 发射 覆盖 | ||
【主权项】：
一种离子植入方法，其特征在于，包括：发射离子束，所述离子束覆盖的范围形成离子植入区；所述离子植入区内具有第一晶圆进行离子植入，所述离子植入区外具有第二晶圆作为待处理晶圆；当所述第一晶圆完成离子植入后，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程中，控制所述第二晶圆进入离子植入区作为第一晶圆进行离子植入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711432947.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
