[发明专利]一种半导体的制作工艺

摘要

本发明公开了一种半导体的制作工艺，包括如下步骤：S1、洁净室：将所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，然后在密闭空间上开设进风窗和出风窗，并且进风窗表面装有过滤网，然后分别在进风窗和出风窗一端安装大型风扇，风扇运作可将密闭空间外的空气通过进风窗吸入密闭空间内，同时过滤网能防止粉尘的进入，然后密闭空间内的空气和灰尘在风扇的作用下也会从出风窗排出，从而可保证空间内的无尘性，同时也要保证粉尘的只出不进，并且也需要加装大型空调设备。与其它制作工艺技术相比，技术价格低廉、节约空间、工艺成熟，藉以改变蚀刻工艺，从而可保证蚀刻的完全性和均匀性，大大提高半导体的使用质量。

主权项

1.一种半导体的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、洁净室：将所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，然后在密闭空间上开设进风窗和出风窗，并且进风窗表面装有过滤网，然后分别在进风窗和出风窗一端安装大型风扇，风扇运作可将密闭空间外的空气通过进风窗吸入密闭空间内，同时过滤网能防止粉尘的进入，然后密闭空间内的空气和灰尘在风扇的作用下也会从出风窗排出，从而可保证空间内的无尘性，同时也要保证粉尘的只出不进，并且也需要加装大型空调设备，以保证密闭空间内的温度与湿度的恒定；S2、制片：将晶棒固定在工作台上，用打磨机对其进行加工修边，然后以X光绕射法，定出主切面的所在，在用打磨机磨出该平面，然后再以内刃环锯削下一片片的硅晶圆，然后将硅晶圆固定在工作台上，用高速旋转的砂轮对硅晶圆经过打磨，然后再用抛光机对打磨后的硅晶圆进行拋光处理，最后得出表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆；S3、清洗：将磁力搅拌器的清洗槽内倒入EKC溶液和水，再将晶圆放置在清洗槽内，再打开磁力搅拌器，可去除晶圆表面的化合物，然后再用异丙醇去除残留在晶圆表面的EKC溶液，清洗结束后废液会从清洗槽一侧的水管流入回收箱内，最后再用烘干机对晶圆进行干燥；S4、曝光：将适量光阻滴上晶圆中心，而晶圆是置于光阻涂布机工作台的真空吸盘上，转盘以每分钟数干转之转速，旋转30‑60秒，使光阻均匀涂布在晶圆上，转速与旋转时间，依所需光阻厚度而定，同时晶圆位于紫外灯下方，紫外光通过光罩照射于光阻上，而在光照及阴影处产生相对应的图形，而受光照射的地方，光阻的溶解率产生变化，故晶圆曝照于紫外光中，会使得光阻的溶解率改变；S5、显影：将曝光后的晶圆放置在磁力搅拌器的清洗槽内，然后倒入显影剂，同时打开磁力搅拌器，磁力搅拌器会使清洗槽内的溶液产生搅拌，从而对晶圆的表面进行清洗，将光阻高溶解率的部分进行清除，清洗结束后，将废液从清洗槽的一侧排入回收箱内，最后再用烘干机对晶圆进行干燥；S6、蚀刻：将显影后的晶圆放置在磁力搅拌器的清洗槽内，倒入蚀刻液，同时打开磁力搅拌器，磁力搅拌器会使清洗槽内的溶液产生搅拌，蚀刻液则与晶圆表面的光阻充分接触，并且搅动可加速气泡从晶圆表面的的脱离，同时清洗槽外壁的加热块可对蚀刻液进行加热，从而用蚀刻液去除晶圆未受光阻保护的晶圆部份，而受光阻保护部份，则未受蚀刻，最后，光阻被去除，而晶圆上则保有被制的图案，最后再对晶圆的表面进行烘干处理；S7、掺杂：将晶圆固定在离子注入机的工作台上，高能离子束轰击晶圆表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入晶圆本体，在其他部位，杂质离子被晶圆表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。S8、制膜：将晶圆放置在真空箱内，再用晶圆夹对晶圆进行固定，然后将真空箱内抽成真空状态，然后利用氩气电浆，高速冲击受镀靶材，因而将靶材表面附近材质喷溅出来，落至晶圆之上，从而完成制膜。S9、构装：利用塑胶或陶瓷对晶圆进行包装。