[发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件在审
| 申请号： | 201711435211.8 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962128A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;程陆玲 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子点与高分子材料，利用高分子材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离，从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭，达到薄膜中量子点发光量子产率的提升。利用这种具有高发光量子产率的薄膜到QLED器件中，就能实现高效率的QLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子材料 量子点 薄膜 光量子 产率 制备 阻隔 重均分子量 能量转移 浓度淬灭 有效隔离 高效率 无辐射 量子 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万，所述高分子材料还包括至少一种电荷传输调节高分子材料，所述电荷传输调节高分子材料的重均分子量低于10万。
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