[发明专利]一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法有效
| 申请号： | 201711435523.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108231394B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 宋振纶;丁雪峰;胡方勤;杨丽景;郑必长;姜建军;张青科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;包头希迪瑞科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，采用磁控溅射的方法在烧结钕铁硼磁体表面制备重稀土薄膜，然后经离子束辅助真空热扩散处理工艺，最后经回火处理得到所述高矫顽力钕铁硼磁体；所述热扩散处理工艺的温度为600～800℃，时间为6～12h。本发明提供了一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，显著降低了热扩散处理的温度，缩短了热扩散处理的时间，且使得烧结钕铁硼磁体的矫顽力得到进一步的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 矫顽力 钕铁硼 磁体 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，采用磁控溅射的方法在烧结钕铁硼磁体表面制备重稀土薄膜，然后经离子束辅助真空热扩散处理工艺，最后经回火处理得到所述高矫顽力钕铁硼磁体；所述热扩散处理工艺的温度为600～800℃，时间为6～12h。
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