[发明专利]兼容真空环境的图形转移的方法及系统有效
| 申请号： | 201711439215.3 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109979806B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 熊康林;陆晓鸣;黄增立;徐蕾蕾;冯加贵;李坊森;丁孙安;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/00;G03F1/76 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;王茹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼容真空环境的图形转移的方法及系统。所述的方法包括如下步骤：提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版和第二无机掩膜版；在第二无机掩膜版上加工形成图形，至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第一无机掩膜版中，至少在所述第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料，除去所述的无机掩膜版。本发明提供的兼容真空环境的图形转移的方法，有效的杜绝了显影液、溶剂和有机掩膜版的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 真空 环境 图形 转移 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种真空兼容图形转移的方法，其特征在于包括如下步骤：提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版和第二无机掩膜版；在第二无机掩膜版上加工形成图形，至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第一无机掩膜版中，至少在所述第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料，除去所述的无机掩膜版。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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